DIVULGAÇÃO - Oportunidade de Bolsa de IC

Plano de pesquisa: Transistores GaN em Conversores de Alta Eficiência

Perfil desejado:

• Alunos(as) de Engenharia Elétrica
• Interesse em eletrônica de potência
• Proatividade e curiosidade técnica
• Não é necessário experiência prévia avançada (aprendizado orientado)
• Nível de inglês suficiente para leitura técnica

Descrição:

Estudo do uso de transistores GaN em conversores chaveados, com foco em alta eficiência, alta frquência e redução de perdas por meio de simulações. O projeto envolve modelagem, análise de desempenho e exploração de topologias avançcadas em eletrônica de potência.

Contato: yales.novaes@udesc.br